ICS31.080.01 CCSL40 中华人民共和国国家标准 GB/T249—2026 代替GB/T249—2017 半导体分立器件型号命名方法 Ruleoftypedesignationfordiscretesemiconductordevices 2026-02-27发布 2026-09-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替GB/T249—2017《半导体分立器件型号命名方法》,与GB/T249—2017相比,除结构 调整和编辑性改动外,主要技术变化如下: a) 增加了碳化硅、氮化镓、金刚石等化合物半导体器件的命名方法(见表1); b) 增加了ESD保护器件的命名(见表2); c) 增加了IGBT的型号命名(见表2); d) 增加了数字晶体管的命名(见表2)。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。 本文件起草单位:中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术研究所、锦州辽晶电子科技股份有 限公司、山东芯诺电子科技股份有限公司、西安卫光科技有限公司、西安环宇芯微电子有限公司、国家国 防科技工业局军工项目审核中心、中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)。 本文件主要起草人:闫美存、张秋、马睿彤、曹燕红、高广亮、陈浩、麻欣、朱海马、裘国营、陈骞、 周建国、李娜、戴俊夫、田燕春、赵曜。 本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为: ———1964年首次发布为GB/T249—1964,1974年第一次修订,1989年第二次修订,2017年第三次 修订; ———本次为第四次修订。 ⅠGB/T249—2026 半导体分立器件型号命名方法 1 范围 本文件规定了半导体分立器件型号的命名方法。 本文件适用于各种半导体分立器件的型号命名。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 GB/T17573—2026 半导体器件 总则 3 术语和定义 GB/T17573—2026界定的术语和定义适用于本文件。 4 型号组成原则 4.1 半导体分立器件的型号五个组成部分的基本意义如下: 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用汉语拼音字 母表示规格号 用阿拉伯数字表示登记顺序号 用汉语拼音字母表示器件的类别 用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 用阿拉伯数字表示器件的电极数目 4.2 半导体分立器件的型号一般由第一部分~第五部分组成,也可由第三部分~第五部分组成。 5 型号组成部分的符号及其意义 5.1 由第一部分~第五部分组成的器件型号的符号及其意义见表1。 1GB/T249—2026 表1 由第一部分~第五部分组成的器件型号的符号及其意义 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分第五部分 用阿拉伯数字表示 器件的电极数目用汉语拼音字母表示器件 的材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类别用阿拉伯数 字表示登记 顺序号或表 征器件特性 的一组数字用汉语 拼音字 母表示 规格号 符号 意义 符号 意义 符号 意义 2 二极管 A B C D E F G H I J ZN型,锗材料 P型,锗材料 N型,硅材料 P型,硅材料 碳化硅材料 氮化镓材料 砷化镓 磷化铟 氧化镓 金刚石 其他 3 三极管 A B C D E F G H I J ZPNP型,锗材料 NPN型,锗材料 PNP型,硅材料 NPN型,硅材料 碳化硅材料 氮化镓材料 砷化镓 磷化铟 氧化镓 金刚石 其他P H V W C Z L S K N F X G D A T Y B J M R小信号管 混频管 检波管 电压调整管和电压基准管 变容管 整流管 整流堆 隧道管 开关管 噪声管 限幅管 低频小功率晶体管 (fT<3MHz,PC<1W) 高频小功率晶体管 (fT≥3MHz,PC<1W) 低频大功率晶体管 (fT<3MHz,PC≥1W) 高频大功率晶体管 (fT≥3MHz,PC≥1W) 晶闸管 体效应管 雪崩管 阶跃恢复管 场效应晶体管 微波晶体管 注:fT为三极管的特征频率;PC为三极管的集电极耗散功率。 示例:硅NPN型高频小功率晶体管 3 D G 6 C 规格号 登记顺序号 高频小功率晶体管 NPN型,硅材料 三极管 2GB/T249—2026 5.2 由第三部分~第五部分组成的器件型号的符号及其意义见表2。 表2 由第三部分~第五部分组成的器件型号的符号及其意义 第三部分 第四部分 第五部分 用汉语拼音字母表示器件的类别用阿拉伯数字表示登 记顺序号或表征器件 特性的一组数字用汉语拼音字母 表示规格号 符号 意义 CS BT FH JL PIN ZL QL SX XT CF DH SY GS GF GR GJ GD GT GH GK GL GM ESD IG PZ场效应晶体管 特殊晶体管 复合管 晶体管阵列 PIN二极管 二极管阵列 硅桥式整流器 双向三极管 肖特基二极管 触发二极管 电流调整二极管 瞬态抑制二极管 光电子显示器 发光二极管 红外发射二极管 激光二极管 光敏二极管 光敏晶体管 光耦合器 光开关管 摄像线阵器件 摄像面阵器件 ESD保护器件 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 电阻偏置晶体管(数字晶体管) 示例:场效应晶体管 CS 2 B 规格号 登记顺序号 场效应晶体管 3GB/T249—2026