ICS 49.020 CCS V20/29 31 上 海 市 地 方 标 准 DB 31/T 1648—2025 元器件抗辐射性能评估指南 Guideline for anti-radiation capacity assessment of components 2025 - 12 - 23发布 2026 - 04 - 01实施 上海市市场监督管理局 发 布 DB 31/T 1648 —2025 I 目 次 前言 ..................................................................................Ⅱ 1 范围 ................................................................................1 2 规范性引用文件 ......................................................................1 3 术语和定义 ..........................................................................1 4 元器件抗辐射性能评估 ................................................................1 元器件选用 ......................................................................1 电子元器件辐射敏感性分析 ........................................................2 基于数据的抗辐射性能分析 ........................................................2 抗辐射性能评估试验 ..............................................................3 5 试验结果应用 ........................................................................3 6 抗辐射加固设计 ......................................................................3 抗电离总剂量效应加固设计 ........................................................3 抗单粒子效应加固设计 ............................................................3 抗位移效应加固设计 ..............................................................4 附录 A（资料性） 元器件空间辐射效应敏感性分类 ..........................................5 附录 B（资料性） 元器件抗辐射性能评估地面模拟试验装置 ..................................7 参考文献 ...............................................................................8 DB 31/T 1648 —2025 II 前 言 本文件按照GB/T 1.1—2020 《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由上海市经济和信息化委员会提出并组织实施。 本文件由上海市航天工业标准化技术委员会归口。 本文件起草单位：上海航天技术基础研究所、上海电机学院。 本文件主要起草人：马林东、刘元、琚安安、汪波、秦林生、孔泽斌、祝伟明、王昆黍、黄超、刘 伟亮。 DB 31/T 1648 —2025 1 元器件抗辐射性能评估指南 1 范围 本文件规定了空间飞行器用元器件抗辐射性能评估的元器件选用、分析、试验，以及试验结果应用 和抗辐射加固设计。 本文件适用于空间飞行器用电子元器件的抗辐射性能评估。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。 其中， 注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GJB 128A—1997 半导体分立器件试验方法 GJB 548C—2021 微电子器件试验方法和程序 GJB 762.1—1989 半导体器件辐射加固试验方法 中子辐照试验 GJB 7242—2011 单粒子效应试验方法和程序 GJB 8118—2013 军用电子元器件分类与代码 QJ 10004A—2018 宇航用半导体器件总剂量辐照试验方法 QJ 10005A—2018 宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南 QJ 20009—2012 宇航用光电器件位移损伤试验方法 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 电离总剂量效应 total ionizing dose effect 因辐射与物质相互作用产生电子-空穴对，导致辐射损伤的现象。 [来源：QJ 10004A—2018，3.1] 单粒子效应 single-event effect 单个高能粒子作用于器件所引发的翻转、锁定、烧毁、栅穿等现象。 [来源：GJB 7242—2011，3.1] 位移损伤效应 displacement damage effect 粒子在材料中通过弹性或非弹性碰撞导致材料晶格结构损伤导致的辐射损伤现象。 4 元器件抗辐射性能评估 元器件选用 DB 31/T 1648 —2025 2 选择有加固指标的元器件或在其它宇航型号上有应用经历的元器件，在无法确定元器件抗辐射指 标的情况下，选择有故障分析服务的器件或者内部结构已知的器件。 电子元器件辐射敏感性分析 常见的电容器、电阻器、电连接器、滤波器、微波元件、低频电线电缆等无源元器件一般可以认为 对空间辐射效应免疫，可以直接选用。 常见的半导体集成电路、半导体分立器件、光电子器件等器件及射频线缆属于空间辐射效应敏感元 器件，辐射效应敏感类型见附录A。 基于数据的抗辐射性能分析 4.3.1 基于飞行经历的抗辐射性能分析 若元器件无飞行经历，且无明确抗辐射指标，可以按照表1中现行标准开展辐照试验以确定其抗辐 射性能。 表1 国内现行有效的元器件辐照试验方法 空间辐射效应类型 现行有效的试验方法标准和指南 电离总剂量效应 GJB 128A—1997 方法1019 GJB 548C—2021 方法1019.2 QJ 10004A—2018 单粒子效应 GJB 7242—2011 QJ 10005A—2018 位移损伤效应 GJB 762.1—1989 QJ 20009—2012 若元器件有飞行经历，与当前宇航型号抗辐射指标进行比较，判断是否需要进行试验。 4.3.2 基于辐射效应数据的抗辐射性能分析 4.3.2.1 电离总剂量效应数据分析 电离总剂量效应数据进行分析重点考虑以下因素： a） 元器件批次比对； b） 元器件不同批次的版图和工艺比对； c） 元器件能够达到的抗辐射指标； d） 元器件采用的辐照偏置条件宜与宇航型号实际应用线路相同或类似，或采用最劣偏置条件； e） 元器件的测量参数项目宜包含宇航型号关注的关键性能， 且建议覆盖实际应用产生的全部工况 数据； f） 元器件宜区分功能失效与参数失效。 4.3.2.2 单粒子效应数据分析 单粒子效应数据进行分析时重点考虑以下因素： a） 元器件批次比对； b） 元器件不同批次的版图和工艺比对； DB 31/T 1648 —2025 3 c） 元器件能够达到的抗辐射性能； d） 元器件单粒子效应类型； e） 元器件试验所用粒子的能量、线性能量传递（LET）值、射程等； f） 元器件采用的辐照偏置条件宜与宇航型号实际应用线路相同或类似，或采用最劣偏置。 4.3.2.3 位移损伤效应数据分析 位移损伤效应数据进行分析重点考虑以下因素： a） 元器件批次比对； b） 元器件不同批次的版图和工艺比对； c） 元器件能够达到的抗辐射性能。 4.3.2.4 重新进行试验确定 综合 4.3.2.1～4.3.2.3 中各因素判断拟选用的元器件的抗辐射性能是否满足宇航型号选用需求， 若满足，则直接选用，若不满足，则重新进行试验以评估抗辐射性能。 抗辐射性能评估试验 4.4.1 方案制定 进行抗辐射性能评估试验前，宜根据现行有效的试验方法标准、指南以及抗辐射加固设计要求， 制定抗辐射性能评估试验方案。国内元器件抗辐射性能评估地面模拟试验装置可见附录B。 4.4.2 试验实施 实施过程中，按照试验方案，实时记录试验前后与实验过程中参数变化，包括设备参数和元器件 测试参数。记录试