ICS31.080 L 53 SJ 备案号：52036-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2658.9—2015 代替SJ/T2658.9—1986 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角 Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode -Part9:Spatial distributionofradiantintensityandhalf-intensityangle 2015-10-10发布 2016-04-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2658.9—2015 前言 SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则； 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流； 第4部分：总电容； 第5部分：串联电阻 AND 第6部分：辐射功 第7部分： 第8部分 第9部 第10 制带赛 第11 确应时 第12 部 峰值发 长和光谱辐射带宽； 第 部分 辐射功 13 温度系数： 第14部分： 结温； 热阻； 第 光电转 本部分为 部分 本部分按照 CB 示准的结构和编写》给出的规则起草。 本部分代替SJA 9—1986《半导体红外发光二极管测试方法辐射强度空间分布和半强度角的 6358.9 测试方法》，除编辑性 修改处主要技术变化如下： 修改了辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图（见图1 细化了辐射强度空间分布和半强度角的测量步骤（见5 补充了辐射强度室间分布和半强度角测量方法的规定条件 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口 本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。 本部分主要起草人：张戈、赵英。 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.9—1986。 SJ/T2658.9—2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角 1范围 本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图、 测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件 GB/T2900.65—2004电工术语：照明 GB/T15651一1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件 SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则 SJ/T2658.8半导体红外发射二极管测量方法第8部分：辐射强度 CIE127：1997技术报告LED测量 3术语和定义 GB/T2900.65一2004和GB/T15651一1995界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 辐射强度空间分布 spatialdistributionofradiantintensity 器件在规定的正向工作电流下，垂直和平行p-n结方向的辐射强度随空间角的分布。 4一般要求 测量辐射强度空间分布和半强度角的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。 5 测量方法 5.1 测量原理图 辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图见图1。 1 SJ/T2658.9—2015 D,D,D; DUT PD轴 PD 角度盘 Z轴 说明： DUT 被测器件； ND G 电流源； 电流表； A PD 包括面积 DI的光度探测器； D2, D 消除杂 D，不应限制探测立体角； d 被测 请光闲D之简的距离 TEC Z轴 被测 Z 之间的 0 “被测器件应 中装置上 如旅转中心位子系统光轴上的角度格鞋， 角度盘应该 角度刻度精度）， 要求如下： a) 被测器件 可准确重复： b）变化角度 光学窗口的中心能保持固定多位于旋转中心 c) 能测量夹 d) 能绕被测器件 e）能测量关于 又轴的成 b对于脉冲测量， 电流源应提供所要求的幅度、宽度和重复频率的电流脉冲 °探测器响应时间相对于腻 立足够 系统应是一个峰值测量仪 d距离d应按CIE127：1997标准条件A或B设置， 平面角 b）标准条件B：d为100mm，立体角为0.01sr， 平面角（全角）为6.5% 图1 辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图 5.2测量步骤 辐射强度空间分布和半强度角的测量按下列步骤进行： a) 按图1连接测量系统，系统光轴对准被测器件的机械轴（或按SJ/T2658.8中5.2任意选择一 种状态），定义为-0； b) 调节恒流源，使工作电流I为规定值，测量光探测器(PD)的信号，把辐射强度数值设为Ivo； 从0°至土90°旋转角度盘，按规定的角度间隔测量各个角度时的辐射强度数值Iv()，得到比 值Iv()/Ivo与θ之间的关系，优先采用极坐标图来表示，即为辐射强度空间分布图，如果采用 其它形式，如直角坐标图，在相关文件中定义后可以使用： 2 SJ/T2658.9—2015 在辐射强度空间分布图上分别读取最大发光强度半值点对应的角度1、62，按公式（1）计算 d) 半强度角Q1/2° 2//2=12- (1) 5.3 3规定条件 有关标准采用本方法时，应规定以下条件： 环境温度； a) 正向电流Ip; b) c) 机械参照平面： d) 脉冲信号的频率、幅值、脉宽（适用时）。 3 SJ/T2658.9—2015 中华人民共和 国 电子行业标 准 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角 SJ/T2658.9—2015 * 中国电子技术标准化研究院 编制 中国电子技术标准化研究院发行 电话：（010）64102612 传真：（010）64102617 地址：北京市安定门东大街1号 邮编：100007 网址：ww.cesi.cn * 3 开本：880×1230 1/16 印张： 字数：18千字 4 2015年12月第一版 2015年12月第一次印刷 印数：200册 定价：30.00元 版权专有 不得翻印 举报电话：（010）64102613 SJ/T2658.9—2015 中华人民共和 国 电子行业标 准 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角 SJ/T2658.9—2015 * 中国电子技术标准化研究院 编制 中国电子技术标准化研究院发行 电话：（010）64102612 传真：（010）64102617 地址：北京市安定门东大街1号 邮编：100007 网址：ww.cesi.cn * 3 开本：880×1230 1/16 印张： 字数：18千字 4 2015年12月第一版 2015年12月第一次印刷 印数：200册 定价：30.00元 版权专有 不得翻印 举报电话：（010）64102613