ICS 31.080 SJ L 53 备案号：52035-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2658.82015 代替SJ/T2658.8—1986 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度 Measuring methodfor semiconductorinfrared-emitting diode —Part8:Radiantintensity 2015-10-10发布 2016-04-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2658.82015 前言 SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则； 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流； 第4部分：总电容； 第5部分：串联电阻 AND 第6部分：辐射功车 第7部分： 第8部分： 福射强度 第9部分 第10 调制带宽 第11 部分，响应时间 第12 蜂值发射 长和光谱辐射带宽； 力率温度系数： 第13 部分 辐射功 第14部分： 结温； 热阻； 第15 份： 第16 部分 光电转 本部分为SJT658的第8 部分 本部分按照GBE 标准的结构和编写》 给出的规则起草。 本部分代替SJ/T 辑性修改外主要技术变 化如下 L 修改了辐射强度的测量原理图（见图1）； 补充了辐射强度测量方法的规定条件（见5.3） 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本部分由工业和信息化部电子 工业标准化研究院归 本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。 本部分主要起草人：张戈、赵英。 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.8—1986。 I SJ/T2658.8—2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度 1范围 本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）辐射强度的测量原理图、测量步骤以及规定 条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。 2规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T2900.65—2004电工术语：照明 SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则 CIE127：1997技术报告LED测量 3术语和定义 GB/T2900.65一2004界定的术语和定义适用于本文件。 4一般要求 测量辐射强度的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。 5测量方法 5.1 测量原理图 辐射强度的测量原理图见图1。 SJ/T2658.8—2015 D,D,D; DUT 说明： AND DUT 被测器件； G 电流源； 电流表： A PD 包括光 积为 的光疫探微系统 D2, Dy 消除 ,D2 下应限制探测立体 p 被测 阑D,之 更离。 注：调整被测 械轴通 快我系统孔轻的中心 “对于脉冲测 所提供的电流脉冲应符合规定的幅度 宽度和重复频率。 探测器上升 量仪器 脉冲宽度应是够小，系统应 探测系统 度在被测器件 应校准至 不准光度观者光 警曲线： 发射的光谱 CE（国环照明委员 数时应采用无光 谱选择性的光 按距离和光阑D，用标准 校正测试系统。测量 离d应按 【997推荐的标准 条件A和B设量 a）标准条件A： 立体角为0.001sr，平面角（全角）为2° b）标准条件B： 100mm, 量体角为0.01sr，平面角（全角）为6.5 在这两种条件下，所用的探测系统 要求有 图 辐射强 度测量原理图 5.2测量步骤 辐射强度的测量按下列步骤进行： 按图1连接测量系统，并进行仪器预热； a) b) 调节电流源，给被测器件施加规定的正向电流I，用光度探测系统测量被测器件的辐射强度值。 注：该方法适用于三种状态下对器件辐射强度测量。 状态1：将光学试验台的光轴对准器件的机械轴。 状态2：将光学试验台的光轴对准器件的光轴。 状态3：依据与器件外壳结构相对应的基准进行定位，以便获得重复机械定位。 5.3规定条件 有关标准采用本方法时，应规定以下条件： 2 SJ/T2658.8—2015 环境温度； a) 正向电流Ip； b) 预热时间； c) d) 脉冲宽度和频率（适用时）。 3 SJ/T2658.8—2015 中华人民共和国 电子行业标准 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度 SJ/T2658.8—2015 * 中国电子技术标准化研究院 编制 中国电子技术标准化研究院 发行 电话：（010）64102612 传真：（010）64102617 地址：北京市安定门东大街1号 邮编：100007 网址：www.cesi.cn * 印张： 开本：880×1230 1/16 字数：18千字 4 2015年12月第一版 2015年12月第一次印刷 印数：200册 定价：30.00元 版权专有 不得翻印 举报电话：（010）64102613 SJ/T2658.8—2015 中华人民共和国 电子行业标准 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度 SJ/T2658.8—2015 * 中国电子技术标准化研究院 编制 中国电子技术标准化研究院 发行 电话：（010）64102612 传真：（010）64102617 地址：北京市安定门东大街1号 邮编：100007 网址：www.cesi.cn * 印张： 开本：880×1230 1/16 字数：18千字 4 2015年12月第一版 2015年12月第一次印刷 印数：200册 定价：30.00元 版权专有 不得翻印 举报电话：（010）64102613