ICS 31.080 L 53 SJ 备案号：52033-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2658.62015 代替SJ/T2658.6—1986 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率 Measuring method for semiconductorinfrared-emitting diode Part6:Radiantpower 2015-10-10发布 2016-04-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2658.6—2015 前言 SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则； 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流； 第4部分：总电容； 第5部分：串联电阻 AND 第6部分：辐射功 第7部分： 辐 TRY 第8部分： 第9部分 第10部 调制带宽 第11音 应时间 第12 值发射 和光谱辐射带宽； 第13 分 富射功率福 系数 第14 结温； 热阻； 第16部 电转换 本部分为SJ/3058 的第6部 本部分按照 GB 2009《标准化 作导则第1部分 标准的结构和编写给出的规则起草。 本部分代替SJ/T -1986《半导体红外发光二极管测试方法输出光功率的测试方法》，除编 辑性修改外主要技术 修改了采用暗箱法测量直流辐射功率的原理图（见图1） S 细化了采用暗箱法测量直流辐射功率的步骤（见5.1.2） 细化了采用暗箱法测量脉冲辐射功率的步骗 聚（见612）： 补充了采用暗箱法测量脉冲辐射功率的规定条件（见6.1.3）； 增加了采用积分球法测量直流辐射功率的测量原理图（见图2）、测量步骤（见5.2.2）以及规 定条件（见5.2.3）； 增加了采用积分球法测量脉冲辐射功率的测量原理图（见图4）、测量步骤（见6.2.2）以及规 定条件（见6.2.3） 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。 本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。 本部分主要起草人：张戈、赵英。 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.6—1986。 SJ/T2658.6—2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率 1范围 本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）辐射功率的测量原理图、测量步骤以及规定 条件。 本部分适用于半导体红外发 极D AT 2 规范性引用文件 下列文件对 凡是不注日期的引通文 其最新版本（包括所有的修改单）造用于本文件。 GB/T2900 .65-20 004 SJ/T2658 体红外发 二极管测量法 第1部分： 慈则 3 术语和定 FRY GB/T2900. 2004界定的 3.1 airedt 直流辐射功率 tcurrentradiantpower 在规定的正尚直流电流作用下，器件所发出的光功率。 3. 2 S 脉冲辐射功率pulseradiantpowe RD 一般要求 4 测量辐射功率的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。 5 直流辐射功率的测量 5.1方法I— 一暗箱法 5.1.1测量原理图 采用暗箱法测量直流辐射功率的原理图见图1。 SJ/T2658.62015 探测头 指示用电表 DUT 探测系统 暗箱 说明： DUT- 被测器件； D 恒流源； 一电流表。 A 探测系统探测头的有效接收面积应大于其所接收的器件发射光斑面积。 图1暗箱法测量直流辐射功率的原理图 5.1.2 测量步骤 采用暗箱法测量直流辐射功率按下列步骤进行： 按图1连接测量系统，将被测器件与探测系统的探测头放入同一暗箱中，探测头的接收面应与 a) 被测器件的发光面互相平行并尽量靠近，且被测器件所发射的光斑要全部落在探测头的有效接 收区域内； b) 调节恒流源，使正向电流为规定值，读取探测系统示数后得到被测器件的直流辐射功率值。 规定条件 5.1.3 有关标准采用本方法时，应规定以下条件： 环境温度； b) 正向电流Ip。 5.2方法II- 积分球法 5.2.1 测量原理图 采用积分球法测量直流辐射功率的原理图见图2。 2 SJ/T2658.62015 指示用电表 积分球 探测头 DUT 探测系统 遮光屏 说明： 被测器件； 恒流源； V 电流表。 注：被测器件发射的光辐射经积分球壁多次反射，在球壁产生与辐射功率成比例的均匀光：探测系统的探测头位于 积分球内壁测量光辐射；遮光屏为探测器屏蔽了来自被测器件的直接辐射； “被测器件、遮光屏以及探测系统的探测头与积分球相比，表面积应该小很多；球内壁和遮光屏表面应有一层高均 匀度、高反射系数（不小于0.8）的漫反射镀层：球和探测器组合应该校准，应该考虑到峰值发射波长和辐射功 率由于功率消耗产生的变化。 图2积分球法测量直流辐射功率的原理图 5.2.2 测量步骤 采用积分球法测量直流辐射功率按下列步骤进行： a) 按图2连接测量系统，将被测器件放置在积分球入口处，调节遮光屏，以避免探测系统直接受 到光辐射； b) 调节恒流源，使正向电流I为规定值，读取探测系统示数后得到被测器件的直流辐射功率值。 5.2.3 规定条件 有关标准采用本方法时，应规定以下条件： 环境温度； 正向电流IF。 b) 6 脉冲辐射功率的测量 6.1方法 暗箱法 6.1.1 测量原理图 采用暗箱法测量脉冲辐射功率的原理图见图3。 3 SJ/T2658.6—2015 探测头 指示用电表 暗箱 探测系统“ AND SJ 说明： DUT- 被测 G -矩形 A 电流 配电子 RL 负载匹 “探测系统探测头 接收面积应 探测系统的 应比被测器件至少 2 高5倍。 图3 暗箱法测量脉冲辐射功率的原理图 6.1.2 测量步骤 采用暗箱法测量脉冲辐射功率按下列步骤进行 按图3连接测量系统，将被测器件与探测系统的探测头放入同一暗箱中，探测头的接收面应与 a) 被测器件的发光面互相平行并尽量靠近，且被测器件所发射的光斑要全部落在探测头的有效接 收区域内； 调节脉冲源，使正向峰值电流Ip、频率及占空比为规定值，读取探测系统示数后得到被测器 b) 件的光脉冲宽度w和脉冲平均辐射功率PAv; 按公式(1)进行脉冲峰值辐射功率和脉冲平均辐射功率的换算： ) P= tw·f 式中： Pp一一脉冲峰值辐射功率，单位为瓦(W); 4 SJ/T2658.6—2015 PAV -脉冲平均辐射功率，单位为瓦(W)： -光脉冲宽度，单位为秒（s）； M 6.1.3规定条件 有关标准采用本方法时，应规定以下条件： a) 环境温度； b) 脉冲源正向峰值电流Ip、频率f及占空比。 6.2方法ⅡI——积分球法 6.2.1 测量原理图 采用积分球法测量脉冲辐射功率的原理图见图4。 指示用电表 探测头 积分球“ 探测系统 DUI 遮光屏 说明： DUT- 被测器件； G 矩形脉冲源； V 电流表。 注：被测器件发射的光辐射经积分球壁多次反射，在球壁产生与辐射功率成比例的均匀光；探测系统的探测头位于 积分球内壁测量光辐射：遮光屏为探测器屏蔽了来自被测器件的直接辐射； 被测器件、遮光屏以及探测系统的探测头与积分球相比，表面积应该小很多；球内壁和遮光屏表面应有一层高均 匀度、高反射系数（不小于0.8）的漫反射镀层；球和探测器组合应该校准，应该考虑到峰值发射波长和辐射功 率由于功率消耗产生的变化。 图4积分球法测量脉冲辐射功率的原理图 6.2.2 测量步骤 采用积分球法测量脉冲辐射功率按下列步骤进行： 按图4连接测量系统，将被测器件放置在积分球入口处，调节遮光屏，以避免探测系统直接受 到光辐射； 5