ICS 31.080 SJ L 53 备案号：52030-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2658.32015 代替SJ/T2658.3—1986 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流 Measuring method for semiconductorinfrared-emitting diode -Part3:Reversevoltageandreversecurrent 2015-10-10发布 2016-04-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2658.3—2015 前言 SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则； 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流； 第4部分：总电容； 第5部分： 串联电阻 AND 第6部分：车 第7部分： 辐射通量， 第8部分： 第9部分 潘射强度空间分布和半强度角 第10部 调制带宽 第11部 响应时间 和光谱辐射带宽； 第12 峰值发射波长 第13 辐射功率溢度系数 结温； 第14 部分 第15部热阻； 第16部分一光电转换效拿 本部分为SJ/TQ658的第3部分 本部分依据GBT1 2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写给出的规则起草。 本部分代替SJVT2658 1986《半导体红外发光二极管测试方法反向电压的测试方法》，除编辑 性修改外主要技术变化妞不 修改了反向电压测量原理图中稳压源的符号（见图1） 细化了反向电压的测量步骤（见5.2）； 补充了反向电压测量方法的规定条件， （见5.3） 补充了反向电流的测量步骤（见6.2）及规定条 见63万 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。 本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。 本部分主要起草人：张戈、赵英。 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.3—1986。 SJ/T2658.32015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流 1范围 本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）反向电压和反向电流的测量原理图、测量步 骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。 规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T15651一1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件 SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则 3术语和定义 GB/T15651一1995界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3. 1 反向电压 reversevoltage VR 通过器件的反向电流为规定值时，其两极间产生的电压降。 4一般要求 测量反向电压和反向电流的一般要求应符合SJ/T2658.1。 5反向电压的测量 5.1测量原理图 反向电压的测量原理图见图1。 SJ/T2658.3—2015 DUT 说明： AND 被测器件； DUT- G 稳压源； A 电流表； 电压表。 V TECHN 图1反向电压测量原理图 5.2 测量步骤 反向电压的测 列步骤进行： 维接测量 按图1连 系统， 并进行仪器预热； a) 取直流电压表的数后得到被测 器件的 反向电压值。 b) 调节稳压 反向电流为规定值， LOGY 5.3 规定条件 有关标准采用本 应规定以下条件： 环境温度； a) 反向电流IR。 b) S 6 反向电流的测量 D 6.1 测量原理图 反向电流的测量原理图见图2。 2 SJ/T2658.3——2015 DUT VR 说明： DUT被测器件； G 稳压源； A 电流表； V 一电压表。 图2反向电流测量原理图 6.2 测量步骤 反向电流的测量按下列步骤进行： 按图2连接测量系统，并进行仪器预热； b) 调节稳压源，使反向电压VR为规定值，读取直流电流表的示数后得到被测器件的反向电流值。 6. 3 规定条件 有关标准采用本方法时，应规定以下条件： 环境温度； a) 反向电压VR。 b) 3