ICS 31.080 L 53 SJ 备案号：52038-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2658.11—2015 代替SJ/T2658.11—1986 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间 Measuring methodfor semiconductor infrared-emitting diode -Part1l:Responsetime 2015-10-10发布 2016-04-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2658.11—2015 前言 SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则； 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流； 第4部分：总电容； 第5部分：串联电阻 AND 第6部分：辐射 第7部分： 辐射通量 第8部分 辐射强度 第9部分 第10 第11 响应时 第1 部分 峰值发 长和光谱辐射带宽； 第 部分 辐射功 温度系数： 第 14部分 结温； 热阻； 第 第 光电转 16 本部分为 SJT268的第 1部分 本部分按照GB 际准的结构和编写》给出的规则起草。 本部分代替了 2658.11-1986《半导体红外发光二极管测试方法脉冲响应特性的测试方法》， 除编辑性修改外主要技 术变化如下： 响应时间的定义中补充了半导体红外发射二极管的响应过程图（见图1）； 修改了响应时间的测量原理图（见图2）； 修改了响应时间的测量步 RD 补充了响应时间测量方法的规定条件（见53 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。 1。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。 本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。 本部分主要起草人：张戈、赵英。 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.11—1986。 I SJ/T2658.11—2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间 1范围 本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）响应时间的测量原理图、测量步骤以及规定 条件。 本部分适用于半导体红外发射 极ND 2规范性引用文件 USTRY 下列文件对于 其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件 凡是不注日期的引 SJ/T2658. 本红外发 第1部分：总则 HO 术语和定 下列术语 3. 1 响应时间 responsetime 在规定的正向短形脉冲电流作用下，被测器件辐射的光脉冲对作用的矩形电流脉冲的响应时间。其 中，从电脉冲幅度的10%到光脉冲幅度的10%所需的时间间隔为开通延迟时间(on)；从光脉冲幅度的 10%上升到90%所需的时间间隔为上升时间t；被测器件的开通时间1为开通延迟时间ta(on)与上升时 间t之和；从电脉冲幅度的90%到光脉冲幅度的90%所需的时间间隔为关断延迟时间ta(om)，从光脉冲 幅度的90%下降到10%所需的时间间隔 寸间fof为关断延迟时间ta(om与下降时间tr 之和（见图1）。 SJ/T2658.11—2015 相对输入脉冲电流(%) 输入脉冲电流 100 90 直流偏置 时间 相对输出辐射功率(%) 100 时间 td(on) Id(ofm) fofr fon 说明： Id(on) 开通延迟时间； 上升时间； tr 开通时间（开通延迟时间td(om)与上升时间t之和）； 1on -关断延迟时间； a(om) If 下降时间： -关断时间（关断延迟时间ta(om)与下降时间t之和）。 foff 注：图中0%对应的辐射功率是在直流偏置电流下的输出功率，100%对应的辐射功率是辐射脉冲顶端获得的平均 输出功率。 图1 器件响应过程图 4一般要求 测量响应时间的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。 5 测量方法 5.1 测量原理图 器件响应时间的测量原理图见图2。 2 SJ/T2658.11—2015 DUT 说明： DUT 被测器件“； G1 高阻电流脉冲发生器； G2 直流电流偏置电源； G3 直流电压偏置电源； Ra 匹配发生器阻抗的电阻； RL 负载电阻； M 能够同时测量输入、输出波形的测量仪器(如示波器); PD 光电二极管°。 注：仅考虑被测器件的光学窗口。 被测器件的上升时间和下降时间都应至少为输入电流脉冲的5倍；被测器件的上升时间应至少为测量仪器(如示 波器)的5倍。 b输入电流脉冲应选择适宜的脉宽，脉冲过冲应小于10%，占空比应小于1/100。 °光电二极管的频率响应应比被测器件至少高5倍。 图2响应时间测量原理图 5.2测量步骤 响应时间的测量按下列步骤进行： 给被测器件施加规定的直流I和脉冲电流，给光电二极管施加规定的反向偏压VR，并把被测 a) 器件输出的脉冲光对准在探测用光电二极管的光敏区内； 用测量仪器M观察输入的电脉冲信号和经光电转换的输出光脉冲信号（见图1），按图1所 b) 示读出开通延迟时间ta(on)、关断延迟时间ta(of)、上升时间t,以及下降时间t等。 5. 3 3规定条件 有关标准采用本方法时，应规定以下条件： 环境或管壳温度； a) 直流偏置电流IF; b) c) 输入脉冲电流的脉宽、频率和幅值； 反向偏压VR; d) 3 SJ/T2658.11—2015 光学窗口； e) 光学结构。 f) AND SJ SJ/T 2658.11—2015 中华人民共和 国 电子行业标准 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间 SJ/T2658.112015 * 中国电子技术标准化研究院 完编制 中国电子技术标准化研究院 发行 电话：（010）64102612 传真：（010）64102617 地址：北京市安定门东大街1号 邮编：100007 网址：www.cesi.cn * 3 开本：880×1230 1/16 印张： 字数：18千字 4 2015年12月第一版 2015年12月第一次印刷 定价：30.00元 印数：200册 版权专有 不得翻印 举报电话：（010）64102613