ICS 31.080.01 SJ L 50 备案号：50542-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2215—2015 代替SJ2215.1~2215.14—1982 半导体光电耦合器测试方法 Measuringmethodsforsemiconductorphotocouplers 2015-04-30发布 2015-10-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2215—2015 目 次 前言. III 1范围 2规范性引用文件， 3术语和定义 4一般要求 ORM 6 NDINE 4.1测试环境条件.. .6 4.2测试系统及仪器设 .6 5详细要求 5.1正向电压 7 5.2正向电流 7 5.3反向电流 .8 5.4反向击 极管 .9 5.5结电容 10 5.6集电极 发射极 穿电压 10 5.7集电极 射极饱和电 ..11 5.8输出截 .12 5.9电流传辅 13 5.10脉冲上 冲下 .15 5.11隔离电容 91 5.12隔离电阻 17 5.13隔离电压 18 5.14输出高电平电压 19 5.15输出低电平电压 .20 5.16高电平电源电流 5.17低电平电源电流 .22 5.18带宽 .23 5.19传递系数 .24 5.20非线性度. .25 5.21零位电压.. ..26 5.22通态直流电压 27 5.23断态直流电流. .28 5.24维持电流. .28 5.25输入触发电流. SJ/T2215—2015 前言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准代替了SJ/T2215.1～2215.14—1982《半导体光 耦合器测试方法》，修订时结合了国内产品的具体情况，除编辑性修改外主要技术变化如下： 增加了术语和定义（见第3章）； 修改了测试环境条件（见4.1），增加了测量和试验用标准大气条件（见4.1.1）、仲裁测量和 试验用标准大气条件（见4.1.2）： 增加了对示波器的误差要求（见4.2.4）： 集电极一发射极反向击穿电压修改为集电极一发射极击穿电压（见5.6）； 输出饱和压降修改为集电极一发射极饱和电压（见5.7）： 反向截止电流修改为输出截止电流（见5.8）； 直流电流传输比修改为电流传输比（见5.9）： 脉冲上升、下降、延迟、贮存时间修改为脉冲上升时间、脉冲下降时间、下降传输延迟时间、 上升传输延迟时间，增加了测量原理图，细化了测量步骤（见5.10）； 隔离电容测试细化了测量步骤（见5.11.3）： 隔离电阻测试细化了测量步骤（见5.12.3）： 增加了输出高电平电压、输出低电平电压、高电平电源电流、低电平电源电流、带宽、快递系 数、非线性度、零位电压、通态直流电压、断态直流电流、维持电流和输入触发电流的测试方 法（分别见5.14，5.15，5.16，5.17，5.18，5.19，5.20，5.21，5.22，5.23，5.24和5.25）； 补充了测试方法的规定条件（见第5章），细化了测量步骤（见第5章）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担这些专利的责任。 本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十四研究所。 本标准主要起草人：马思华、欧熠、陈春霞、李刚毅、徐道润。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： SJ2215.1~2215.14—1982 11 SJ/T2215—2015 半导体光电耦合器测试方法 1范围 本标准适用于半导体光电耦合器。 2规范性引用文件 ND 具最新版本（包括所有的修改单）适用于 凡是不注日期的引用工 GB/T2421.1 包工电子产品环境试验 概述和指南 GB/T11499 2000 导体器线#号 109 半导体器件，分立器 GB/T1565 门集成电路 第券部 OF 3术语和定义 义和符号 适用 GB/T114 -200 GB/T15651 下列术语募 文件。 TRY 3.1 正向电压 极管） VF 输入二极管成 为规定值时，正负极之间所产生的电压降。 3. 2 正向电流（二极管） Srardcurrent 3. 3 反向电流（二极管） reversecurrent IR 在被测二极管两端加规定反向电压V时通过二极管的电流。 3. 4 反向击穿电压（二极管） reverse voltage VBR 被测二极管的反向电流I为规定值时，在其两极间所产生的电压降。 SJ/T2215—2015 3. 5 结电容 junctioncapacitance Cj 在规定的偏压下，器件输入端的电容值。 3.6 集电极-发射极击穿电压 collector-emittervoltage V (BR) CEO 输入二极管开路，集电极电流lc为规定值，集电极与发射极间的电压降。 3.7 集电极一发射极饱和电压 collector-emittersaturationvoltage VcE (sat) 输入二极管工作电流和集电极电流Ic为规定值，集电极与发射集间的电压降。 3. 8 输出截止电流 outputcut-off current IcEO 输入二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，通过集电极的电流为输出截止电流。 3. 9 电流传输比 currenttransferratio CTR 输出端的工作电压为规定值时，输出电流与输入二极管输入电流之比为电流传输比CTR。 3.10开关时间特性 3. 10.1 脉冲上升时间 pulserisetime r 光电耦合器在规定工作条件下，输入二极管输入规定电流Ip的脉冲波，输出端则输出相应的脉冲 波，从输出脉冲上升沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr 3. 10. 2 脉冲下降时间 pulsefalltime tr 光电耦合器在规定工作条件下，输入二极管输入规定电流Ip的脉冲波，输出端则输出相应的脉冲 波，从输出脉冲下降沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tr 3.10.3 下降传输延迟时间 transmissionfalldelaytime tPHL 2 SJ/T2215—2015 光电耦合器在规定工作条件下，输入二极管输入规定电流IFp的脉冲波，输出端则输出相应的脉冲 波，输出脉冲电压由高电平到低电平的边沿和对应的输入脉冲电压边沿上规定的参考电平间的时间为下 降传输延迟时间tpHL。 3.10.4 上升传输延迟时间transmissionrisedelaytime tPLH 光电耦合器在规定工作条件下，输入二极管输入规定电流Ipp的脉冲波，输出端管则输出相应的脉 冲波，输出脉冲电压由低电平到高电平的边沿和对应的输入脉冲电压边沿上规定的参考电平间的时间为 上升传输延迟时间tpLH。 参考电平 输入脉冲电 90% 参考电平 0% 输出座 图1同相输出时， 脉冲上升时间、脉冲下降时间、下降传输延时间、 上升传输延迟时间图 STA S RD 参考电平 输入脉冲电压 90% 参考电平 输出脉冲电压 10% 图2反相输出时，脉冲上升时间、脉冲下降时间、下降传输延迟时间、上升传输延迟时间图 3