ICS 31. 080. 30 L42 SJ 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T1486—2016 代替SJ/T1486-1979 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管 详细规范 Semiconductordiscretedevices Detail specification for type 3CG180 high frequency high voltage low power PNP silicon transistor 2016-04-05发布 2016-09-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ/T14862016 信言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替SJ/T1486—1979。与SJ/T1486—1979相比，本标准主要技术变化如下： 本标准依据GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》。 一本标准外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。 本标准增加了极限值参数VcBo（见本规范4.3），增加了电特性参数V（BR>CBo（见本规范A2b分组） 和高温下的截止电流IB02（见本机莎5.8N （见本规范A2b分组，旧版见3CG130型PNP 硅外延平面三极管规范妻）测试条件中I 删掉了交流参数Kp和Ne（见 旧版3CG130型PNP硅外延平面三极管规范表） 请注意本文件的某坚内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承 些专利的责任。 本标准由全国 导体 器件标准化技术委员会归口。 本标准起草 南市导体儿骏所 越草人 本标准主 侯 本标准于 次发不 次为第一次修订。 1 L S S N D SJ/T14862016 引言 本标准适用于3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管。本标准按照GB/T6217一1998《半导体器 件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范》 制定，符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》I类和GB/T12560 一1999《半导体器件分立器件分规范》的要求。 II SJ/T1486—2016 7 标志 7. 1 器件上的标志 器件上的标志包括以下几部分： 产品型号和分档标志，如3CG180A； he分档色标； 一质量评定类别标志Ⅱ， 如3CG180AⅡ： 一制造厂商标； 一检验批的识别代号。 7. 2 包装盒上的标志 包装盒上的标志包括： 制造厂商标； 制造厂联系方式。 8 订货资料 订货单上应有下列内容： 产品型号和分档标志； he分档色标； 一质量评定类别标志Ⅱ，如3CG180AⅡI； 本标准编号； —其他。 试验条件和检验要求 6 试验条件和检验要求按表3～表5的规定。本章中，LTPD抽样引自GB/T12560一1999。