(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202222423049.0 (22)申请日 2022.09.13 (73)专利权人 山西烁科晶体有限公司 地址 030006 山西省太原市综改示范区潇 河园区汾潇街9号 (72)发明人 李鹏　周金龙　魏汝省　张峰　 于洋　牛玉龙　 (74)专利代理 机构 太原高欣科创专利代理事务 所(普通合伙) 14109 专利代理师 吴立　冷锦超 (51)Int.Cl. B24B 41/06(2012.01) (54)实用新型名称 一种用于平面磨床的多尺寸晶体固定装置 (57)摘要 本实用新型涉及一种用于平面磨床的多尺 寸晶体固定装置， 属于半导体材料制备技术领 域； 包括磁吸吸盘与真空吸盘， 磁吸吸盘的一侧 端面上设置有固定槽， 真空吸盘的一端插接于磁 吸吸盘内， 固定槽的底面设置有吸附槽， 磁吸吸 盘的另一侧端面中心处设置有进气口， 进气口与 吸附槽相连通， 真空吸盘的另一端端面上设置有 阶梯槽， 每个阶梯槽的内部底面均设置有吸气 槽， 最内侧的阶梯槽底面处设置有中心气孔， 中 心气孔的两端分别与吸气槽以及吸附槽相连通； 在平面磨床上还设置有真空泵， 真空泵通过导气 管与磁吸吸盘上的进气口相连接； 解决了目前晶 体在平面磨床上的固定方式附着粘力小、 调节不 便的问题。 权利要求书1页 说明书4页 附图7页 CN 217890649 U 2022.11.25 CN 217890649 U 1.一种用于平面磨床的多尺寸晶体固定装置， 其特征在于： 包括磁吸吸盘 （1） 与真空吸 盘 （2） ， 磁吸吸盘 （1） 的一侧端面上设置有固定槽 （5） ， 真空吸盘 （2） 的一端插接于磁吸吸盘 （1） 内， 固定槽 （5） 的底面设置有吸附槽， 磁吸吸盘 （1） 的另 一侧端面中心处设置有进气 口 （10） ， 进气口 （10） 与吸附槽相连通， 真空吸盘 （2） 的另一端端面上设置有阶梯槽， 每个阶梯 槽的内部底面均设置有吸气槽， 最内侧的阶梯槽底面处设置有中心气孔 （17） ， 中心气孔 （17） 的两端分别与吸气槽以及吸附槽相连通； 在平面磨床上还设置有真空泵 （3） ， 真空泵 （3） 通过导气管 （4） 与磁吸 吸盘 （1） 上的进气口 （10） 相连接 。 2.根据权利要求1所述的一种用于平面磨床的多尺寸晶体 固定装置， 其特征在于： 所述 磁吸吸盘 （1） 、 固定 槽 （5） 、 真空吸盘 （2） 、 阶梯槽均为圆柱形 结构。 3.根据权利要求1所述的一种用于平面磨床的多尺寸晶体 固定装置， 其特征在于： 在固 定槽 （5） 的内部底面中心处设置有一个中心吸附槽 （6） ， 在中心吸附槽 （6） 的外侧周圈设置 有多个环形吸附槽 （7） ， 环形吸附槽 （7） 与中心吸附槽 （6） 轴线相合。 4.根据权利要求3所述的一种用于平面磨床的多尺寸晶体 固定装置， 其特征在于： 固定 槽 （5） 内部底 面还设置有横向吸附槽 （8） 与纵向吸附槽 （9） ， 通过横向吸附槽 （8） 以及纵向吸 附槽 （9） 将环形吸附槽 （7） 与中心吸附槽 （6） 相连通。 5.根据权利要求1所述的一种用于平面磨床的多尺寸晶体 固定装置， 其特征在于： 所述 阶梯槽从内 向外依次包括一级阶梯槽 （11） 、 二级阶梯槽 （12） 、 三级阶梯槽 （13） ， 一级阶梯槽 （11） 的内径为四寸， 二级阶梯槽 （12） 的内径为六寸， 三级阶梯槽 （13） 内径为八寸。 6.根据权利要求5所述的一种用于平面磨床的多尺寸晶体 固定装置， 其特征在于： 在每 个阶梯槽的内部底面上分别设置有一个环形吸气槽 （14） 、 横向吸气槽 （15） 、 纵向吸气槽 （16） ， 其中环形吸气槽 （14） 的轴线与阶梯槽的轴线相合， 横向吸气槽 （15） 与纵向吸气槽 （16） 相互垂直并且外侧一端均 与阶梯槽的内壁相连通。 7.根据权利要求6所述的一种用于平面磨床的多尺寸晶体 固定装置， 其特征在于： 对于 一级阶梯槽 （11） ， 其横向吸气槽 （15） 以及纵向吸气槽 （16） 相互交叉设置； 对于二级阶梯槽 （12） 以及三级阶梯槽 （13） ， 其上的横向吸气槽 （15） 以及纵向吸气槽 （16） 内侧一端与内边缘 相连通。 8.根据权利要求1所述的一种用于平面磨床的多尺寸晶体 固定装置， 其特征在于： 平面 磨床的工作台上还设置有电磁吸盘， 磁吸 吸盘 （1） 磁吸固定在电磁吸盘上。 9.根据权利要求1所述的一种用于平面磨床的多尺寸晶体 固定装置， 其特征在于： 平面 磨床上还设置有金刚石砂轮、 砂轮平衡架。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 217890649 U 2一种用于平面磨床的多尺寸晶体固定装 置 技术领域 [0001]本实用新型属于半导体材料制备技术领域， 具体涉及一种用于平面磨床的多尺寸 晶体固定装置 。 背景技术 [0002]碳化硅 （SiC） 是第三代半导体材料的典型代表， 相比于Si基， SiC拥有优越的物理 性能： 更高的禁带宽度、 更高的电导率和更高的热导率。 非常适合应用在高功 率和高频高速 领域， 如新能源汽 车和5G射频器件 领域。 目前SiC单晶生长直径由4英寸扩展至6英寸， 甚至8 英寸。 随着生长直径的扩大， 晶体内部存在残余应力也随之增大， 对后续加工过程提出了更 高的要求。 尤其是在平面磨削加工过程中晶体附着平面的平整度， 会直接影响晶体的平面 度导致晶向偏移， 解决这个问题的根本在于晶体在平面磨床上加工的附着方式。 [0003]过去平面磨床加工 晶体采用的是电磁吸盘方式， 将装有晶体的夹具放到磁盘上， 打开吸磁开关将夹具固定在工作台上， 工作台上 晶体使用蜡粘工艺粘接。 此种附着方式粘 力小， 吸盘平整精度低蜡层厚度会影响最终晶体加工平整度。 且必须使用钢或铸铁等磁性 材料制成的夹具来固定晶体， 调节不便， 操作繁琐耗材成本较高。 实用新型内容 [0004]本实用新型克服了现有技术的不足， 提出一种用于平面磨床的多尺寸晶体固定装 置； 解决目前晶体在平面磨床上的固定方式附着粘力小、 调节不便的问题。 [0005]为了达到上述目的， 本实用新型 是通过如下技 术方案实现的。 [0006]一种用于平面磨床的多尺寸晶体固定装置， 包括磁吸吸盘与真空吸盘， 磁吸吸盘 的一侧端面上设置有固定槽， 真空吸盘的一端插接于磁 吸吸盘内， 固定槽的底面设置有吸 附槽， 磁吸吸盘的另一侧端面中心处设置有进气口， 进气口与吸附槽相连通， 真空吸盘的另 一端端面上设置有阶梯槽， 每个阶梯槽的内部底面均设置有吸气槽， 最内侧的阶梯槽底面 处设置有中心气孔， 中心气孔的两端分别与吸气槽以及吸 附槽相连通； 在平面磨床上还设 置有真空泵， 真空泵通过导气管与磁吸 吸盘上的进气口相连接 。 [0007]进一步的， 所述磁吸 吸盘、 固定 槽、 真空吸盘、 阶梯槽均为圆柱形 结构。 [0008]进一步的， 在固定槽 的内部底面中心处设置有一个中心 吸附槽， 在中心 吸附槽的 外侧周圈设置有 多个环形吸附槽， 环形吸附槽与中心吸附槽轴线相合。 [0009]进一步的， 固定槽内部底面还设置有横向吸附槽与纵向吸附槽， 通过横向吸附槽 以及纵向 吸附槽将环形吸附槽与中心吸附槽相连通。 [0010]进一步的， 所述阶梯槽从内向外依次包括一级阶梯槽、 二级阶梯槽、 三级阶梯槽， 一级阶梯槽的内径为四寸， 二级阶梯槽的内径为六寸， 三级阶梯槽内径为八寸。 [0011]进一步的， 在 每个阶梯槽的内部底面上分别设置有一个环形吸气槽、 横向吸气槽、 纵向吸气槽， 其中环形吸气槽的轴线与阶梯槽的轴线相合， 横向吸气槽与纵向吸气槽相互 垂直并且外侧一端均 与阶梯槽的内壁相连通。说　明　书 1/4 页 3 CN 217890649 U 3