(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202122804109.9 (22)申请日 2021.11.16 (73)专利权人 捷普电子 （无锡） 有限公司 地址 214000 江苏省无锡市新吴区出口加 工区J9、 J 10地块 (72)发明人 徐红星　 (74)专利代理 机构 无锡松禾知识产权代理事务 所(普通合伙) 32316 专利代理师 张婷婷 (51)Int.Cl. B23K 26/362(2014.01) B23K 26/142(2014.01) B23K 26/70(2014.01) (54)实用新型名称 一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现 象的镭射装置 (57)摘要 本实用新型公开了一种减少在金属阳极镭 雕区域产生不良现象的镭射装置， 包括载料平 台、 封闭壳体、 镭射机头、 抽风管和气吹组件， 所 述载料平台上方罩设有封闭壳体， 所述封闭壳体 的顶端对应于述镭射机头贯通开 设有导通口， 所 述封闭壳体上设置有抽风管和至少一组的气吹 组件， 所述气吹组件朝向于载料平台上被加工工 件上表面气吹设置， 且所述封闭壳体的内腔气压 大于外界环 境气压， 镭射工作室从负压变成正压 工作， 大大降低了制造不良品的机率。 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 CN 216706316 U 2022.06.10 CN 216706316 U 1.一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置， 其特征在于： 包括载料平 台(1)、 封闭壳体(2)、 镭射机头(3)、 抽风管(4)和气吹组件(5)， 所述载料平台(1)上方罩设 有封闭壳体(2)， 所述封闭壳体(2)的顶端对应于述镭射机头(3)贯通开设有导通口(6)， 所 述封闭壳体(2)上设置有抽风管(4)和至少一组的气吹组件(5)， 所述气吹组件(5)朝向于载 料平台(1)上被加工工件 上表面气吹设置， 且 所述封闭壳体(2)的内腔气 压大于外界环 境气 压。 2.根据权利要求1所述的一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置， 其 特征在于： 在相同时间内， 所述气吹组件(5)抽送到封闭壳体(2)内的气体总量大于抽风管 (4)排出至 封闭壳体(2)外 部的气体总量。 3.根据权利要求1所述的一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置， 其 特征在于： 所述气吹组件(5)的进气端管路上设置有除尘过 滤组件(7)。 4.根据权利要求1所述的一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置， 其 特征在于： 所述气吹组件(5)包括固定杆(11)、 活动块(12)、 气吹喷头(13)和进气管(14)， 所 述固定杆(11)设置在封闭壳体(2)的顶壁下方， 所述进气管(14)的一端连接于气吹喷头的 进气端且另一端伸出至密封壳体外部， 所述气吹喷头(13)设置在活动块(12)上， 且所述活 动块(12)角度调节设置在固定杆(1 1)上。 5.根据权利要求1所述的一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置， 其 特征在于： 所述抽风管(4)、 气吹组件(5)分别位于载料平台(1)的镭射区域的两侧， 所述抽 风管(4)位于气吹组件(5)的气流路径上。 6.根据权利要求1所述的一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置， 其 特征在于： 还包括柔性连接套筒(10)， 所述镭射机头(3)间距设置在导通口(6)的上方， 所述 柔性连接套筒(10)的一端导通连接设置在导通口(6)上， 且所述柔性连接套筒(10)的另一 端套设在镭射机 头(3)的外侧。 7.根据权利要求1所述的一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置， 其 特征在于： 所述载 料平台(1)上设置有工件吸附机构(9)。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 216706316 U 2一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现 象的镭射装 置 技术领域 [0001]本实用新型属于阳极镭雕领域， 特别涉及 一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良 现象的镭射装置 。 背景技术 [0002]目前， 镭射过程中出现很高的单白点、 多白点及不同形状白丝状残留印迹， 导致产 品需要返工和报废， 通过分析此种不良为镭射坏境发生变化， 当激光 发出后， 被空气中或贴 附在产品表面脏污给遮挡而导致激光不能镭在金属表面。 上述现象为企业生产造成困扰， 同时导致设备的利用率低下， 严重影响产线的生产效率和员工积极性； 为提高设备利用率， 开发产线生产能力， 亟需对镭射系统进行优化和改进。 发明内容 [0003]发明目的： 为了克服现有技术中存在的不足， 本实用新型提供一种减少在金属阳 极镭雕区域产生不良现象的镭射装置， 镭射工作室从负压变成正压工作， 大大降低了制 造 不良品的机率。 [0004]技术方案： 为实现上述目的， 本实用新型的技 术方案如下： [0005]一种减少在金属阳极镭雕区域产生不良现象的镭射装置， 包括载料平台、 封闭壳 体、 镭射机头、 抽风管和气吹组件， 所述载料平台上方罩设有封闭壳体， 所述封闭壳体的顶 端对应于述镭射机头贯通开设有导通口， 所述封闭壳体上设置有抽风管和至少一组的气吹 组件， 所述气吹组件朝向于载料平台上被加工工件上表面气吹设置， 且所述封闭壳体的内 腔气压大于 外界环境气压 。 [0006]进一步的， 在相同时间内， 所述气吹组件抽送到封闭壳体内的气体总量大于抽风 管排出至 封闭壳体外 部的气体总量。 [0007]进一步的， 所述气吹组件的进气端管路上设置有除尘过 滤组件。 [0008]进一步的， 所述气 吹组件包括固定杆、 活动块、 气吹喷头和进气管， 所述固定杆设 置在封闭壳体的顶壁下方， 所述进气管的一端连接于气吹喷头的进气端且另一端伸出至密 封壳体外 部， 所述气吹喷头设置在活动块上， 且所述活动块角度调节设置在固定杆 上。 [0009]进一步的， 所述抽风管、 气吹组件分别位于载料平台的镭射区域的两侧， 所述抽风 管位于气吹组件的气流路径上。 [0010]进一步的， 还包括柔性连接套筒， 所述镭射机头间距设置在导通口的上方， 所述柔 性连接套筒的一端导通连接 设置在导通口上， 且所述柔性连接套筒的另一端套设在镭射机 头的外侧。 [0011]进一步的， 所述载 料平台上设置有工件吸附机构。 [0012]有益效果： 本实用新型通过封闭壳体产生封闭的镭射工作室， 并通过抽气管和气 吹组件的双重作用减少镭射区域的粉尘， 而且， 封闭壳体的内腔气 压大于外界环境气 压， 使 得镭射工作室产生正压， 减少 外界粉尘进入到镭射工作室内的概率， 提升镭射工作室的气说　明　书 1/2 页 3 CN 216706316 U 3