(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211161027.X (22)申请日 2022.09.22 (71)申请人 江苏旭氟新材 料有限公司 地址 225214 江苏省扬州市江都区沿江开 发区 （江苏鹤林智能机械有限公司A1 厂房） (72)发明人 牛文静　 (74)专利代理 机构 盐城市大丰区丰晟知识产权 代理事务所(特殊普通合伙) 32454 专利代理师 邵珑 (51)Int.Cl. C08J 5/18(2006.01) C08L 27/18(2006.01) C08K 3/36(2006.01)C08K 3/22(2006.01) C08K 3/04(2006.01) C08K 7/06(2006.01) C08K 3/32(2006.01) C08K 3/16(2006.01) (54)发明名称 一种高介电常数、 低介电损耗复合薄膜的制 备方法 (57)摘要 本发明公开了一种高介电常数、 低介电损耗 复合薄膜的制备方法， 为： S1： 将PTFE粉末、 功能 材料及填料分别进行烘干， 烘干后PTFE粉末捣碎 60目过筛， 将烘干后的功能材料和填料捣碎分别 用140目振动筛过筛， 备用； S2： 取稀土粉末将其 溶于乙醇溶剂， 将得到的P TFE粉末加入到稀土 溶 液中， 再加入功能材料和填料， 加热搅拌， 在溶液 蒸干后， 烘干， 然后取出备用； S3： 将混合后的复 合粉体放入模具中， 预先成型为圆柱型毛坯； S4： 将圆柱型毛坯放入烧结炉中烧结； S5： 将S4所得 圆柱型毛坯放入烘箱中进行预热， 使坯料的内、 外温度一致后， 按照预设的薄膜厚度， 进行车削 或旋切； 该复合膜具有高介电常数、 低介电损耗， 耐磨性能好， 不易磨损， 延长其使用寿命， 降低成 本。 权利要求书1页 说明书5页 CN 115368605 A 2022.11.22 CN 115368605 A 1.一种高介电常数、 低介电损耗复合薄膜的制备方法， 其特征在于， 具体包括以下步 骤： S1： 将PTFE粉末、 功能材料及填料分别用电热恒温干燥箱进行烘干， 烘干温度在95 ‑100 ℃， 持续烘干10 ‑11h， 取出烘干后PTFE粉末捣碎60目过筛， 将烘干后的功能材料和填料捣碎 分别用140目振动筛过筛， 备用； 所述功能材料为纳 米硅微粉、 纳 米Al2O3或钛白粉； 所述填料为石墨、 碳纤维及二硫化钼 的混合物； S2： 取稀土粉末将其溶于 乙醇溶剂中， 将经步骤S1得到的PTFE粉末缓慢加入到稀土溶 液中， 再加入功能材料和填料， 然后用搅拌器进行加热搅拌， 在溶液完全蒸干后， 送入烘干 箱在100‑110℃下进行2 ‑3h的烘干， 然后取 出备用； S3： 将混合后的复合粉体放入模具中， 在10 ‑20MPa压力下预先成型为圆柱型毛坯； 将脱 模后的毛坯在40 ‑75℃的环境中存放10 ‑24h， 消除毛坯的内应力； S4： 将圆柱型毛坯放入烧结炉中， 先在200 ‑250℃下预烧， 然后加热到350 ‑460℃下保温 5‑36h； S5： 将S4所得圆柱型毛坯放入80 ‑130℃的烘箱中进行预热， 保持温度2 ‑5h， 使坯料的 内、 外温度一致后， 按照预设的薄膜厚度， 采用硬质合金刀对坯料进 行车削或旋切， 形成10 ‑ 100 μm厚度膜材 料。 2.根据权利要求1所述的高介电常数、 低介电损耗复合薄膜的制备方法， 其特征在于： 步骤S2中将经步骤S1得到的PTFE粉末缓慢加入到稀土溶 液中时边用搅拌边加入。 3.根据权利要求1所述的高介电常数、 低介电损耗复合薄膜的制备方法， 其特征在于： 所述稀土为氟化镧。 4.根据权利要求1所述的高介电常数、 低介电损耗复合薄膜的制备方法， 其特征在于： 所述步骤S3中模压成型时保压8 ‑10min。 5.根据权利要求1所述的高介电常数、 低介电损耗复合薄膜的制备方法， 其特征在于： 所按质量百分比计， 功能材料： 10 ‑20%， 填料： 2 ‑4%， 稀土1 ‑2%， 余量为PTFE粉末， 以上各 组分 之和为10 0%。 6.根据权利要求1所述的高介电常数、 低介电损耗复合薄膜的制备方法， 其特征在于： 所述填料按质量比计石墨： 碳纤维： 二硫化钼= 3： 12:4。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115368605 A 2一种高介电常数、 低介电损耗复合薄膜的制备方 法 技术领域 [0001]本发明涉及一种复合薄膜的制 备方法， 具体涉及一种高介电常数、 低介电损耗复 合薄膜的制备 方法。 背景技术 [0002]电子信息产品和 设备的发展趋势是高频化、 微型化， 微型化电路系统的开发应用 是专为紧凑型设备提供设计， 电路的微型化也使得系统重量的减轻。 对于X波段及以下频率 是十分理想的。 其适用于 GPS接收器、 有更小尺寸要求的贴片天线、 卫星通讯系统、 功率放大 器(PA)、 低噪声放大器(LNA)、 低噪声下变频器(LNB)、 飞机 防撞系统(TCAS)和陆机雷达系 统。 尤其在5G无线网络、 雷达、 北斗卫星通讯的快速发展中， 都需要大量的高介电常数复合 材料。 PTFE树脂因其特殊的分子结构， 具有优异且稳定的微波性能， 相对介电常数为2.1左 右， 介电损耗为10–4数量级， 可在180 ‑260℃长期使用， 具有优异的电性能， 耐热性及耐酸碱 性和电镀性， 但是由于其介电常数在2.1左右， 局限了他的广泛使用， 且其损耗大易磨损， 影 响其使用效果。 [0003]目前， 公布号CN110077056A的专利提供一种 纳米陶瓷填充聚四氟乙烯玻璃布覆铜 薄板及其制作工艺， 该专利中采用陶瓷粉来改变高介常数， 以聚四氟乙烯薄膜 为粘合层， 具 有优异的电性能， 稳定性好， 但是其在玻璃布上浸渍聚四氟乙烯混合液， 由于聚四氟乙烯混 合液是一种表面极性非常低的聚合物， 而陶瓷粉体的表面极性非常高、 密度比乳液大， 在浸 渍过程时陶瓷粉体容易沉淀， 以及干燥过程中陶瓷粉体更容易发生聚集， 导致最终制得 的 聚四氟乙烯陶瓷漆布的电性能不均匀， 不同位置的介电常数、 热膨胀性的差异将使压制的 高频电路板无法正常使用； 公布 号CN107775975A的专利提供一种高介电常数宽幅聚四氟乙 烯功能薄膜及其制 造工艺， 其采用了功 能材料来达到高介电常数 的目的， 但其耐磨性能和 承载能力 及机械性能差 没有改善， 因此， 研发一种能克服上述缺陷的高高介电常数、 低介电 损耗， 耐磨性 好， 不易磨损的复合膜成为本领域 技术人员亟 待解决的技 术问题。 发明内容 [0004]本发明所要解决的技术问题是， 针对以上现有技术存在的缺点， 高介电常数、 低介 电损耗复合薄膜的制备方法， 该复合膜具有高介电常数、 低介电损耗， 耐磨性能好， 不易磨 损， 延长其使用寿命， 降低成本 。 [0005]为了解决以上技术问题， 本发明提供一种高介电常数、 低介电损耗复合薄膜的制 备方法， 具体包括以下步骤： [0006]S1： 将PTFE粉末、 功能材料及填料分别用电热恒温干燥箱进行烘干， 烘干温度在 95‑100℃， 持续烘干10 ‑11h， 取出烘干后PTFE粉末捣碎60目过筛， 将烘干后的功能材料和填 料捣碎分别用140目振动筛过筛， 备用； [0007]功能材料为纳米硅微粉、 纳米Al2O3或钛白粉； 填料为石墨、 碳纤维及二硫 化钼的混 合物；说　明　书 1/5 页 3 CN 115368605 A 3